SLC的固态盘在如今的市面上已经是凤毛麟角，MLC也越来越少，TLC开始成为市场的绝对主流。
1月15日，TheReg撰文，谈到了QLC闪存的未来和3D NAND之间的关系，还是非常有趣的。
QLC顾名思义，就是4bits Cell，电信号存储的密度更高。其实早在2009年，SanDisk(闪迪)就试图用43nm工艺制造QLC闪存，但因为错误率奇高，不得不放弃。
错误率是Flash闪存一座不可避免的大山，通常的处理方式是主控中加入ECC校验技术，即在数据位中插入校验位。
说到这里你就明白了，数据位越少，出错率必然越低，所以从存储方式上，SLC必然是最扛用的，其次是MLC、QLC……
同时，工艺也是如此。制程越先进，ECC校验位就要增多，纠错难度就越高。
而闪迪之所以搞不定错误率这个问题是因为当时3D NAND还没发展起来，基于43nm工艺的2D平面来做校验，要想数据达到一定的准确率，要不容量很小，要不成品尺寸巨大。
而随着3D NAND的成熟，TLC甚至QLC的未来突然豁然开朗起来。由于3D构造方式的优势，浮栅周围形成一圈作为支柱通道，面积增加3倍，所以30nm做出了90nm的效果，纠错难度大大下降。
如图所示，同样是15nm级别，MLC闪存只需要50个ECC校验位，而TLC则需要多达75个。
可在3D QLC闪存时代，20个ECC校验位都绰绰有余。
Objective Analysis的专业人士Jim Handy撰文指出，所以，他说PLC闪存(5bits/Cell)是必然，因为一个最显而易见的事实是，原来1TB QLC SSD立马增大到1.25TB，届时的1元1GB才会有可能
